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本发明请求保护一种石墨烯半导体辐射探测器件及其制备方法，其采用石墨烯场效应管电阻值作为测量物理量，具体包括：半导体晶体材料层、绝缘隔离层、石墨烯材料层及感应信号电极层，在高原子序数辐射作用晶体表面制备面元阵列结构石墨烯结构层，构建面元阵列石...
该专利属于重庆中易智芯科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆中易智芯科技有限责任公司授权不得商用。

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