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本发明的半导体装置，即便是在浮动区域的载流子数量(掺杂量)出现偏差的情况下，其外围区域的耐压也不易降低，从而就能够进一步提升外围区域的耐压。半导体装置100包括：半导体基体110，具有半导体层112；第一主电极130；第二主电极140；多个...
该专利属于新电元工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新电元工业株式会社授权不得商用。

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