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得到能够实现IGBT的损耗改善，并且抑制耐压下降的半导体装置。半导体装置(1)具有IGBT区域(16)以及MOSFET区域(17)。在MOSFET区域(17)形成的多个沟道掺杂P层(115)具有侧面与在IGBT区域(16)及MOSFET区域...
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