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本发明公开了一种半导体器件，其包括：半导体主体，其包括第一表面和在垂直方向上与第一表面相对的第二表面；以及多个晶体管单元，其至少部分集成在半导体主体中。多个晶体管单元中的每个包括：至少两个源极区；第一栅电极和第二栅电极，其在第一水平方向上彼...
该专利属于英飞凌科技德累斯顿公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技德累斯顿公司授权不得商用。

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