温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体对准结构和制造方法及其掩膜版组，其制造方法主要包括在衬底上形成多晶硅块，之后形成第一介质层并在多晶硅块的对应区域形成第一插塞，然后形成第二介质层并在第一插塞对应区域形成第二插塞。由于多晶硅块位于第一插塞的底部，使得第一插...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。