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一种半导体器件及其形成方法，包括：提供基底；在基底表面依次形成第一材料层和第二材料层；在第二材料层表面形成第一掩膜层，相邻第一掩膜层之间具有第一槽，第一掩膜层具有第一尺寸，第一槽具有第二尺寸；在第一槽底部的第一材料层内形成具有第一离子的第一...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。