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本申请涉及一种降低单栅极非挥发性存储器。所述存储器包括：多个存储单元；存储单元之间阵列连接；存储单元采用差分接线；存储单元差分接线的一边包括：控制管、遂穿管、读取管以及选择管；控制管的一端连接控制端，另一端分别连接遂穿管和读取管；读取管的另...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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