一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法技术

本申请涉及一种降低单栅极非挥发性存储器。所述存储器包括：多个存储单元；存储单元之间阵列连接；存储单元采用差分接线；存储单元差分接线的一边包括：控制管、遂穿管、读取管以及选择管；控制管的一端连接控制端，另一端分别连接遂穿管和读取管；读取管的另外两端分别连接读取端线和选择管，选择管的另外两端分别连接选择端线和位线；遂穿管的另一端连接隧穿端线。所述方法包括：写入时，控制端接入编程电压，隧穿端线接入擦除电压，读取端接地，通过读取管进行编程，通过遂穿管进行数据擦除；读取时，控制端接地，读取端接入工作电压。采用本方法能够减小存储器的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法
本申请涉及电力电子
，特别是涉及一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法。
技术介绍
单栅极多次可编程可擦除非挥发性存储器，是基于标准CMOS工艺的，具有成本低、容量小、功耗低的特点，广泛应用于物联网、传感网等领域。低功耗的单栅极多次可编程可擦除非挥发性存储器的编程和擦除是采用F-N隧穿机制，具有较高的编程、擦除效率，写操作功耗低。但是，读操作时存在大量的电压切换，导致读操作功耗较高，限制了单栅极多次可编程可擦除非挥发性存储器在超低功耗场合下的应用。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够解决单栅极多次可编程可擦除非挥发性存储器功耗过高问题的一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法，所述存储器包括：多个存储单元；所述存储单元之间阵列连接；所述存储单元采用差分接线；所述存储单元差分接线的一边包括：控制管、遂穿管、读取管以及选择管；所述控制管的一端连接控制端，另一端分别连接遂穿管和读本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法，其特征在于，/n所述存储器包括：多个存储单元；所述存储单元之间阵列连接；所述存储单元采用差分接线；所述存储单元差分接线的一边包括：控制管、遂穿管、读取管以及选择管；所述控制管的一端连接控制端，另一端分别连接遂穿管和读取管；所述读取管的另外两端分别连接读取端和选择管，所述选择管的另外两端分别连接选择端和位线；所述遂穿管的另一端连接隧穿端；/n所述方法包括：/n写入时，所述控制端接入编程电压，所述隧穿端线接入擦除电压，所述读取端接地，通过所述读取管进行编程，通过所述遂穿管进行数据擦除；/n读取时，所述控制端接地，所述读取端接入工作电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法，其特征在于，
所述存储器包括：多个存储单元；所述存储单元之间阵列连接；所述存储单元采用差分接线；所述存储单元差分接线的一边包括：控制管、遂穿管、读取管以及选择管；所述控制管的一端连接控制端，另一端分别连接遂穿管和读取管；所述读取管的另外两端分别连接读取端和选择管，所述选择管的另外两端分别连接选择端和位线...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宏义，徐顺强，吴建飞，郑黎明，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43