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本发明涉及一种反应釜、生长氮化镓晶体的装置以及生长方法。反应釜为材料在超临界流体中生长提供高温和超高压环境，包括釜体，具有第一筒体和套设于第一筒体外壁的第二筒体，其中，第一筒体具有容纳待生长材料的容腔，第二筒体用于使所述第一筒体产生压缩预应...
该专利属于上海玺唐半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海玺唐半导体科技有限公司授权不得商用。

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