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提供了一种用于形成低损晶体高级波导的方法。该方法包括：提供一基片；以及在所述基片上形成电介质层。通过蚀刻所述电介质层的一部分，形成一通道。在用于限定所述通道的区域中，选择性地生长Ｓｉ、Ｇｅ或ＳｉＧｅ层。此外，该方法包括在限定的温度范围中对所...
该专利属于马萨诸塞州技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过马萨诸塞州技术研究院授权不得商用。

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