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一种基于ＳＯＩ晶片的静电驱动ＭＥＭＳ变形镜，其中ＳＯＩ晶片从上到下包括硅器件层、二氧化硅层、硅衬底层，其特征在于：镜面位于ＳＯＩ晶片的硅器件层之上；镜面和ＳＯＩ晶片之间是通过连接杆来连接；上极板形成在ＳＯＩ晶片的硅器件层上；下极板所在的硅或...
该专利属于中国科学院光电技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院光电技术研究所授权不得商用。

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