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在多个硅基板(11、13、21)中的至少1个，形成凹部(14、23)。此外，在多个硅基板中的至少1个，在从空间(30)的预定形成区域离开了的部分，形成硅氧化膜(12、22)，该硅氧化膜(12、22)形成有将预定形成区域包围并达到多个硅基板的...
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