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本实用新型公开了一种新型降低正向残压的单向保护器件，包括N型衬底硅片，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区和推结较深的N型扩散区，在推结较深的P型扩散区有推结较浅的N型杂质扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，推结较深的N型扩散区通过金属与推...
该专利属于上海维安半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海维安半导体有限公司授权不得商用。

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