一种新型降低正向残压的单向保护器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型降低正向残压的单向保护器件，包括N型衬底硅片，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区和推结较深的N型扩散区，在推结较深的P型扩散区有推结较浅的N型杂质扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，推结较深的N型扩散区通过金属与推结较浅的P型杂质扩散区相连，推结较浅的N型杂质扩散区通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出。本实用新型专利技术通过在单向负阻结构中增加PNPN器件，并且将PNPN器件的门极通过电阻短路到阳极，从而实现了一种新型降低正向残压的单向保护器件。

【技术实现步骤摘要】
一种新型降低正向残压的单向保护器件
本技术属于半导体
，涉及半导体集成芯片的浪涌和ESD防护设计技术，尤其涉及一种新型的降低正向残压的单向保护器件。
技术介绍
随着电子系统和网络线路的普及，电子产品在使用中经常会遭遇意外的电压瞬变和浪涌，这种瞬变干扰无处不在，会严重危害电子系统安全工作，表现为击穿或烧毁电子产品中的半导体器件，包括二极管、三极管和场效应管等。为了避免浪涌电压损害电子设备，在系统中的关键部位要采用浪涌防护器件，使瞬时浪涌电流旁路入地，达到削弱和消除过电压、过电流的目的，从而起到保护电子设备安全运行的作用。这种浪涌防护器件有安全工作区，以器件的触发电压和启动工作时的残压两个参数来衡量，两者必须都介于后级电路的工作电压和被击穿电压之间，一旦超出这个范围要么在没有启动时烧毁被保护电路，要么在启动之后烧毁被保护电路。目前单向的ESD防护器件主要有两种，一种是传统的PN结构(如图1中A所示)，衬底外延片上采用注入或扩散异型杂质形成，这种器件结构简单易实现，但是存在残压高，浪涌能力有限的缺点，在高压ESD保护器件时尤为突出。目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，包括N型衬底硅片(301)，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区(302)和推结较深的N型扩散区(305)，在推结较深的P型扩散区(302)有推结较浅的N型杂质扩散区(304)和P型杂质扩散区(303)，推结较深的N型扩散区(305)通过金属与P型杂质扩散区(303)相连，推结较浅的N型杂质扩散区(304)通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区(309)和推结较浅的P型杂质扩散区(307)，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出。/n

【技术特征摘要】
20190701 CN 20192101901231.一种新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，包括N型衬底硅片(301)，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区(302)和推结较深的N型扩散区(305)，在推结较深的P型扩散区(302)有推结较浅的N型杂质扩散区(304)和P型杂质扩散区(303)，推结较深的N型扩散区(305)通过金属与P型杂质扩散区(303)相连，推结较浅的N型杂质扩散区(304)通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区(309)和推结较浅的P型杂质扩散区(307)，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出。


2.根据权利要求1所述的新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，所述N型衬底硅片(301)电阻率为0.01～10Ω·CM，厚度180-220um，在衬底上采用台面工艺进行双面扩散。


3.根据权利要求1所述的新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，所述推结较深的P型扩散区(302)结深大于P型杂质扩散区(303)，推结较深的P型扩散区(302)采用长时间退火，结深范围为15-30μm。


4.根据权利要求1所述的新型降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，所述推结较浅的N型杂质扩散区(304)和P型杂质扩散区(303)，其结深范围为2-5μm。


5.根据权利要求1所述的新型降低正向残压的单向保护器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕海凤，赵德益，苏海伟，王允，赵志方，霍田佳，
申请(专利权)人：上海维安半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31