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本发明涉及一种能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法，包括：在N+衬底层的上表面生长N‑漂移层；在N‑漂移层的上表面进行铝离子注入形成第一P阱和第二P阱；在第一P阱内和第二P阱内分别进行氮离子注入形成第二N+源区；在第一P阱内和第二...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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