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本申请提供高介电金属栅极制造方法，通过在底部阻挡层上形成盖帽层，则在虚拟多晶硅的去除过程中底部阻挡层被所述盖帽层保护，然后再去除所述盖帽层，则在伪栅极结构去除过程中不会消耗底部阻挡层，而不会导致底部阻挡层厚度变薄的问题，从而保证其对Al原子...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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