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一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,所述基底包括衬底以及分立于所述衬底上的鳍部,所述鳍部露出的衬底上形成有隔离层,所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁,其中,沿所述鳍部的延伸方向上,相邻所述鳍部和隔离层围成隔离槽;形成阻挡层,所...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。