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针对现有技术的不足，本发明提供一种LDMOS器件、制备工艺及性能，本发明所提供的器件利用表面的P型外延层以及渐变式的非等间距分布，对漂移区内的电场分布进行调制，显著提高器件的漂移区掺杂浓度。经仿真分析，与传统SOI‑LDMOS器件相比,MS...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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