温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。利用不同绝缘材料的第一隔离结构和第二隔离结构界定出多个单元器件有源区，有利于形成具有不同介电常数的隔离区，从而可利用隔离区中隔离结构提高对穿过的字线的隔离性能，改善字线的电性漂移的问题。...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。