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在某些方面，一种绝缘体上覆硅器件包括背绝缘层以及在该背绝缘层上的半导体层。该半导体层包括具有前源极表面和背源极表面的第一导电类型的源极区、具有前沟道表面和背沟道表面的第二导电类型的沟道区、以及该第一导电类型的漏极区。该绝缘体上覆硅器件进一步...
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