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公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括用于嵌入结构的多孔阳极区域。多孔阳极区域由延性硬掩模限定。硬掩模的延性降低了在通过多孔阳极区域的阳极氧化的形成期间硬掩模破裂的可能性。延性硬掩模可以是金属。金属可以被选择成在暴露于阳极氧化电解质时...该专利属于株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会授权不得商用。