下载半导体芯片与垂直腔表面发射激光器装置及其形成方法的技术资料

文档序号:26481536

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本公开的各种实施例涉及一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)装置。所述垂直腔表面发射激光器装置包括结合凸块、垂直腔表面发射激光器结构以及结合环。结合凸块上覆在衬底上。垂直腔表面发射激光器结构上覆在结合凸块上。垂直腔表面发射激光器结构包括第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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