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本发明公开了一种硅波导输出激光器，包括：III‑V族有源结构，用于生成所述激光器的光源，所述III‑V族有源结构包括：隧道结层，用于形成反向隧穿电流通道；N型衬底，设置于所述隧道结层上表面；P型层，设置于所述隧道结层下表面；量子阱有源层，设...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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