温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于Fe掺杂的GaN基横向结构发光二极管及其制备方法，主要解决现有GaN基横向结构发光二极管工作时电流集边的问题。其自下而上包括：衬底(1)，低温GaN成核层(2)，n型GaN层(3)，In...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。