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本发明涉及AlGaN基深紫外发光二极管及其AlGaN外延片和制备方法，所述AlGaN基深紫外发光二极管和所述AlGaN外延片采用单层图形化BN缓冲层作为缓冲层，利用单层BN的层间采用范德华力的特点，可以有效地降低外延层中的应力大小；利用单层...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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