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一种无外磁场定向自旋翻转的SOT‑MRAM及阵列。SOT‑MRAM自上往下依次包括：选通器(1)，在外加电压的作用下接通或断开SOT‑MRAM；磁隧道结(2)，自上往下依次包括铁磁参考层(201)、隧穿层(202)和铁磁自由层(203)；自...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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