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本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种超结VDMOS。本发明提供的一种改善EMI的超结VDMOS，在漂移区引入长度不等的第二导电类型半导体耐压柱，缓解了超结器件栅漏之间耗尽层的纵向展宽，在Vds较小时抬高Cgd电容值，使Cgd～Vds曲线更...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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