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本发明公开了一种改善衬底电阻率的衬底晶圆结构以及制备方法，涉及一种半导体衬底晶圆，包括：按照晶圆厂商所提供的衬底晶圆，划分成不同电阻率范围；选取不同电阻率范围的衬底晶圆，进行离子注入或掺杂，在表面一定窗口范围内形层高浓度表面区域，注入或掺杂...
该专利属于湖南大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖南大学授权不得商用。

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