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本发明提供一种可集成功率半导体器件及制造方法，能够在同一芯片上同时集成两类高压nLDMOS、一类高压pLDMOS、一类中压nLDMOS、一类中压pLDMOS以及低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件，各器件制作于P型衬底表面的P...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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