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本发明提供一种集成有SG‑VDMOS的BCD半导体器件，能够在一块芯片上同时集成两类JFET、两类VDMOS、LIGBT、七类LDMOS、低压NMOS、低压PMOS、低压NPN、低压PNP及四类二极管等二十类半导体器件，将应用在模拟电路中的...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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