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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆背面具有焊盘区；形成绝缘介质层和插栓结构于所述第一晶圆背面的焊盘区，所述绝缘介质层覆盖所述第一晶圆背面的焊盘区并暴露所述插栓结构，所述插栓结构形...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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