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本发明涉及碳化硅技术领域，尤其是一种碳化硅超细微粉及其生产方法，碳化硅超细微粉的制备原料为粒径2‑5mm的原位合成高纯6H‑SiC微粉。其生产方法，包括以下步骤：将碳化硅颗粒原料球磨；加入发泡剂和混合酸并进行脱酸处理；采用湿式磁选机进行磁选...该专利属于惠州市中惠宇航半导体新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过惠州市中惠宇航半导体新材料有限公司授权不得商用。
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本发明涉及碳化硅技术领域，尤其是一种碳化硅超细微粉及其生产方法，碳化硅超细微粉的制备原料为粒径2‑5mm的原位合成高纯6H‑SiC微粉。其生产方法，包括以下步骤：将碳化硅颗粒原料球磨；加入发泡剂和混合酸并进行脱酸处理；采用湿式磁选机进行磁选...