温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种无源压电自供能单元结构的制备工艺，包括：在硅基片的正面、背面分别沉积氧化硅层、氮化硅层；对所述硅基片背面的氮化硅层和氧化硅层进行蚀刻，形成阵列图案；湿法腐蚀硅基片，在所述硅基片的背面形成阵列式的矩形空腔；在硅基片正面的所述氮化...该专利属于国网河南省电力公司电力科学研究院;全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国网河南省电力公司电力科学研究院;全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司授权不得商用。