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本公开涉及一种离散共源共栅半导体器件以及相关的制造方法，该器件包括：高电压耗尽型器件管芯，其具有布置在其第一主表面上的栅极端子、源极端子和漏极端子；低电压增强型器件管芯，其具有形成在其第一主表面上的栅极端子和源极端子以及形成在与第一主表面相...
该专利属于安世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安世有限公司授权不得商用。

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