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提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包含第一全环绕式栅极晶体管位于基底的第一区上方以及第二全环绕式栅极晶体管位于基底的第二区上方。第一全环绕式栅极晶体管包含多个第一通道元件沿垂直于基底的顶表面的第一方向堆叠以及第一栅极结构位于多个第一通道...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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