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本发明提供一种具有空腔结构的半导体衬底及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底和第二基底，在第一基底中进行离子注入形成预设剥离层，预设剥离层与需要形成的空腔结构之间具有预设距离，预设距离大于空腔结构的空腔特征尺寸的1/8，将第一基底和第二基...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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