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本发明提供一种具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底，在第一基底上形成第一牺牲层、第二牺牲层和侧墙结构，基于侧墙结构依次刻蚀出第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽作为后续的空腔结构，将第一基底与第二基底键合，得到具有空腔结...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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