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本发明提供一种基于空腔包围结构的环形栅场效应晶体管及制备方法，场效应晶体管包括依次层叠的基底、绝缘层及半导体顶层，半导体顶层上设置有呈环形的环形栅极，半导体顶层中形成有第一极与第二极，第一极位于环形栅极内侧并被环形栅极包围，第二极位于环形栅...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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