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HEMT器件及其制作方法技术
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文档序号:26381958
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一种HEMT器件及制作方法,其制作方法包括:在外延片上形成介质掩膜;在介质掩膜上形成定义栅电极的栅足窗口的光刻胶;去除栅足窗口内的介质掩膜;形成栅电极的栅足和金属掩膜;在金属掩膜上形成具有裸露区域的光刻胶,定义非裸露区域为源漏沟道区;去除源...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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