温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层上具有图形化的第一牺牲层，图形化的第一牺牲层内具有第一开口和第二开口，第一开口在平行于待刻蚀层表面方向上具有第一尺寸，第二开口在平行于待刻蚀层表面方向上具有第二尺寸，第一尺寸小于第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。