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本发明公开了一种具有写检测功能和动态冗余的MRAM芯片及其数据读写方法，MRAM芯片包括MRAM主存储单元、若干个外围电路、写入寄存器、写入检测电路、纠错控制器及冗余存储区；MRAM主存储单元和外围电路用于配合执行读写操作；写入寄存器用于暂...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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