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一种与时间有关的介质击穿可靠性的测试方法，所述测试方法采用高温恒定电压应力对集成电路栅氧化层及介质层测试结构进行ＴＤＤＢ可靠性测试，测试方法按如下步骤进行：搭建测试系统，首先将测试结构并联，然后将试验样品置于高温箱中，接着再与外接电阻串联，...
该专利属于信息产业部电子第五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过信息产业部电子第五研究所授权不得商用。

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