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一种芯片表面基底器件结构(1100)，包括与第一超导层(104)耦合的包括晶体硅的衬底(206A，206B)，其中第一超导层与包括晶体硅的第二衬底(102)耦合。在一个实施方式中，芯片表面基底器件结构还包括位于衬底的蚀刻区域中的垂直约瑟夫逊...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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