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一种存储器结构，包括：半导体衬底上方形成的多晶硅的有源列，每个有源列包括一个或多个垂直NOR串，其中每一个NOR串具有共享局部源极线和局部位线的薄膜存储晶体管，局部位线由分段全局位线的一段连接到半导体衬底中提供的感测放大器。...
该专利属于日升存储公司所有，仅供学习研究参考，未经过日升存储公司授权不得商用。

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