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描述了用于形成多孔或纳米多孔半导体材料的方法。所述方法允许在半导体材料中以有利的孔尺寸、间距、孔体积、材料厚度和其他方面形成阵列孔或纳米孔。还提供了多孔和纳米多孔材料。...
该专利属于麻省理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过麻省理工学院授权不得商用。

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