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半导体器件(30)可包括其中具有沟槽(32)的半导体衬底(31)，和至少部分覆盖沟槽的底部和侧壁部分的超晶格衬层(25)。超晶格衬层可包括堆叠的层组，其中每个层组包括限定了基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，和被约束在相邻的基础半导体部分...
该专利属于阿托梅拉公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿托梅拉公司授权不得商用。

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