温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备组成不同的多个R1－T－B系烧结磁体原材料的工序；准备含有65质量％以上97质量％以下的R2和3质量％以上35质量％以下的M，且利用雾化法制作的R2－M合金粉末的工序；和在上述多个R1－T－B...
该专利属于日立金属株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日立金属株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。