R－T－B系烧结磁体的制造方法技术

本发明专利技术的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备组成不同的多个R1－T－B系烧结磁体原材料的工序；准备含有65质量％以上97质量％以下的R2和3质量％以上35质量％以下的M，且利用雾化法制作的R2－M合金粉末的工序；和在上述多个R1－T－B系烧结磁体原材料之间配置上述R2－M合金粉末并以450℃以上1000℃以下的温度将上述多个R1－T－B系烧结磁体原材料接合的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】R－T－B系烧结磁体的制造方法
本专利技术涉及一种R－T－B系烧结磁体的制造方法。
技术介绍
R－T－B系烧结磁体(R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd。T为Fe或Fe和Co，B为硼)已知为永磁体中性能最高的磁体，被用于硬盘驱动器的音圈电动机(VCM)、电动汽车用(EV、HV、PHV等)电动机、工业设备用电动机等各种电动机和家电产品等。R－T－B系烧结磁体由主要包含R2T14B化合物的主相和位于该主相的晶界部分的晶界相构成。作为主相的R2T14B化合物是具有高的饱和磁化和各向异性磁场的铁磁性材料，构成R－T－B系烧结磁体的特性的基础。在高温下，因R－T－B系烧结磁体的矫顽力HcJ(以下，有时简称为“HcJ”)下降而产生不可逆热退磁。因此，特别是在用于电动汽车用电动机的R－T－B系烧结磁体中，要求具有高的HcJ。已知在R－T－B系烧结磁体中，用重稀土元素RH(例如Dy、Tb)置换R2T14B化合物中的R所含的轻稀土元素RL(例如Nd、Pr)的一部分时，HcJ提高。随着RH的置换量的增加，HcJ提高。<br>然而，用RH置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：/n准备组成不同的多个R1－T－B系烧结磁体原材料的工序，其中，R1为包含Nd和Pr中的至少一种的稀土元素，T为以Fe为主的过渡金属元素，可以包含Co；/n准备含有65质量％以上97质量％以下的R2和3质量％以上35质量％以下的M且利用雾化法制作的R2－M合金粉末的工序，其中，R2为包含Nd和Pr中的至少一种的稀土元素，相对于全部R2，Dy和Tb的合计含量为50质量％以下，M为选自Ga、Cu、In、Al、Sn和Co中的至少1种；和/n在所述多个R1－T－B系烧结磁体原材料之间配置所述R2－M合金粉末并以450℃以上1000℃以下的温度将...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180329 JP 2018-064132;20180920 JP 2018-1757341.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：
准备组成不同的多个R1－T－B系烧结磁体原材料的工序，其中，R1为包含Nd和Pr中的至少一种的稀土元素，T为以Fe为主的过渡金属元素，可以包含Co；
准备含有65质量％以上97质量％以下的R2和3质量％以上35质量％以下的M且利用雾化法制作的R2－M合金粉末的工序，其中，R2为包含Nd和Pr中的至少一种的稀土元素，相对于全部R2，Dy和Tb的合计含量为50质量％以下，M为选自Ga、Cu、In、Al、Sn和Co中的至少1种；和
在所述多个R1－T－B系烧结磁体原材料之间配置所述R2－M合金粉末并以450℃以上1000℃以下的温度将所述多个R1－T－B系烧结磁体原材料接合的工序。


2.如权利要求1所述的R－T－B...

【专利技术属性】
技术研发人员：国吉太，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP