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本发明涉及一种用于提供应力评估方案的膜质量检查方法和系统，所述应力评估方案用于检查自旋转移矩磁性随机存取存储器(STT‑MRAM)的磁性隧道结(MTJ)单元的膜质量，其中，双极性信号和包括单极性空穴(正极性)和单极性电子(负极性)的单极性信...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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