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本发明公开了一种高可靠性UVC LED芯片及其制作方法,所述芯片包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和第一电极,还包括第二电极,所述第二电极分别设置在透明导电层和第一电极上;所述第一电极包括N‑接触层、第一阻绝层、第一扩散...该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种高可靠性UVC LED芯片及其制作方法,所述芯片包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层和第一电极,还包括第二电极,所述第二电极分别设置在透明导电层和第一电极上;所述第一电极包括N‑接触层、第一阻绝层、第一扩散...